SJ 50033.90-1995 半导体分立器件.3DK106型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
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ID： |
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0.44 |
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12 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/90-1995,半导体分立器件,3DK106型NPN硅小功率开关,晶体管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DK106 NPN silicon,lowe -power switching transistor,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DK106型NPN硅小功率开关,晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DK10G NPN silicon,Lowe-power switching transistor,SJ 50033/90-1935,范围,1.1 主题内容,本规范规定了 3DK106型NPN硅小功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》L 3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP.GT和GCT表示,2弓I用文件,GB 4587-84双极型晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.I 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2,］引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为做金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要,中华人民共和国电子工业部!995-05-25发布 !995-12-01实施,—1 —,SJ5S033/S0-1995,求选择或另有要求,在合同或订单中应明确规定（见6.33,3.2.2 器件结构,采用NPN硅外娓平面型结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸按GB 758I的A3-02B型及如下的规定。见图1,弓:出端极性:,i .发射极,2 .基极,3 .集电极,A3—02B,最小标称饑大,A 一6.60,— 5.08 一,他一,.,k01,0.407 一0i508,ス864 — 9.39,——2 ——,SJ 50033/90-1995,A3—02B,最小标称最大,机8就0.787 8.50,0.712 一0.863,k 0.740 —— L14,L , 迨.5 — 25+0,レ—— 1.27,图1外形尺寸,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大額定值,型 号,P2,Ta = 25 匕,(W),P3,兀=25じ,(W),Vcbo,(V),VcEO,(V),Vebd,(V),&,(mA),J 和 T-s,(C),3DK106A,0.7 3,40 30,5 800 - 65 ~ + 200,3DK106B 60 45,注;i） 丁ん>25匸,按4.0mW/1C的速率线性顒额,2）Tc>25t,?E 17.1mW/C的速率袈性降额,3.3.2主要电特性（7\*25匕）,参 数,型 号,极限值,符 号 （单位） 测试条件最小值最大值,&FEI Vue=1V,fc= 10mA,全部型号,20,%= IV,fc= 50mA,30 —,3IV,fc-500mA,40 200,ん日y iv,Ic = 600mA,20,A (MHz) VCE=10V,c = 50mA,/=30MHz,150 —,/ (pF) 飞二 10 V,iE=o,f= IM 也,12,一 3 一,SJ 50033/90-1995,续表,丒 参数,型号,极限值,符 号（单位） 涧试条件最小值最大復,仆（D3） /W神500mA,= 50mA,一30,士曲(ri3) Ic ~ 500mA,對二% 匚 50 mA,— 280 .,VcEartZ ⑺ 1c = 500niA,エ 50tnA,0.5 ；,L,ド相』!之" (V) /c- 500mA,50mA,1 二:,■,注;D脉冲法（见45D,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,器件的标志应按GJB 33的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检脸应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检睑,鉴定检验应按CIB 33的规定.,4.3 筛选（仪对G工和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表丄进行,超过本规范表:极,限值的器件应予剔除,啼选,(见 GJB33 表 2),测试或试验,7J中间电参数测试，国】和五陋,8.功率老化见 4.3.1,9.搔后测试,按本规范表1的A2分组,△Icmoi”初始值的却。畴成30nA,取较大老,△る旳=±20%,4.3.1 功率老化条件,功率老化条件如下:,= 25 ±3じ,Vcb = 20V (3DK106A),Vcb = 30V (3DK106B),—4 —,下载,SJ 50033/90-1995,匕 よ700mW,注:不允许器件上加散热器或强迫风冷,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检险应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。……
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